왼쪽부터 이채영 매니저(동의대학교 신소재공학과 10학번), 김정규 연구개발본부(동의대학교 신소재공학과 95학번), 박종휘 팀장(동의대학교 신소재공학과 03학번).

 쎄닉이 자체 개발한 6인치 SiC 웨이퍼. <사진=쎄닉>

화합물 반도체 기업 쎄닉이 6인치 탄화규소(SiC) 제품으로 IR52 장영실상을 수상했다고 8일 밝혔다. IR52 장영실상은 과학정보통신부 주최로 열리며, 매주 우수한 신기술 상품을 선정해 수여한다. SiC 웨이퍼는 실리콘(Si) 웨이퍼 대비 에너지 밴드갭과 절연파괴전계가 높아 전력반도체로 각광받고 있는 소재다. 최근까지 해외에 전적으로 의존하고 있던 기술이다. 
 
 쎄닉은 다년간의 연구를 통해 SiC 웨이퍼 국산화에 성공했다. SiC 단결정 잉곳 성장부터 웨이퍼 가공, 분석 등을 자체 개발했다. 이외에도 8인치 SiC 웨이퍼와 고주파통신용 6인치 SiC 웨이퍼 등을 개발 중인 것으로 알려졌다.
 
 구갑렬 쎄닉 대표는 "SiC 웨이퍼 소재 기술 국산화를 통해 국내 전력반도체 공급망 내재화에 기여할 것"이라며 "기술력 확보를 통해 지속적으로 성장할 수 있는 기업이 될 수 있도록 노력하겠다”고 말했다.
 한편, 쎄닉은 SiC 웨이퍼 양산 자금 확보를 위해 내년 상반기 코스닥시장 기술특례상장을 준비하고 있다. 지난 6월 나이스디앤비에서 진행하는 모의기술평가에서 A 등급을 받았으며, 최근 한국거래소에 기술성 평가 신청서를 제출했다.
 
 출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(http://www.thelec.kr)
 출처: https://n.news.naver.com/mnews/article/016/0001918213